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电子元器件详细资料 » IC[11428] » BSO211P
型号:BSO211P类别:FET - 阵列制造商:Infineon Technologies
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C67 毫欧 @ 4.7A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 25µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs23.9nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds920pF @ 15V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装P-DSO-8
包装剪切带 (CT)

供应商

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